單晶材料分為天然晶體和人工晶體，隨著技術(shù)的發(fā)展，目前天然晶體已經(jīng)不能滿足人們的需求，于是各種人工單晶材料就被相繼開發(fā)出來。單晶材料被廣泛用于電子工業(yè)、半導(dǎo)體工業(yè)、光學(xué)工業(yè)、機(jī)械加工業(yè)、鐘表行業(yè)、超聲及壓電技術(shù)等領(lǐng)域。所以單晶材料檢測(cè)在這些行業(yè)的原材料采購中是必不可少的一個(gè)環(huán)節(jié)。

一、硅單晶檢測(cè)

硅單晶檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)可以依據(jù)GB/T 12962-2015《硅單晶》。GB/T 12962-2015規(guī)定的硅單晶檢測(cè)項(xiàng)目主要有直徑及允許偏差、導(dǎo)電類型、電阻率測(cè)定、徑向電阻率變化、載流子壽命測(cè)量、微區(qū)電阻率條紋、晶向及晶向偏離度、參考面取向、參考面長(zhǎng)度、切口尺寸、氧含量、碳含量、晶體完整性檢驗(yàn)、體金屬（鐵）含量等。硅單晶還可以進(jìn)行牌號(hào)鑒定。

二、砷化鎵單晶檢測(cè)

砷化鎵單晶檢測(cè)依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 20228-2006《砷化鎵單晶》。砷化鎵單晶檢測(cè)項(xiàng)目主要有導(dǎo)電類型評(píng)定、載流子濃度、摻雜劑、電阻率、室溫霍爾遷移率、單晶晶向測(cè)定、單晶位錯(cuò)密度測(cè)定、外形尺寸及厚度測(cè)定。砷化鎵單晶還可以進(jìn)行牌號(hào)鑒定。

三、磷化鎵單晶檢測(cè)

磷化鎵單晶檢測(cè)依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 20229-2006《磷化鎵單晶》。磷化鎵單晶檢測(cè)項(xiàng)目主要有牌號(hào)鑒定、導(dǎo)電類型評(píng)定、摻雜劑檢測(cè)、載流子濃度檢測(cè)、遷移率檢測(cè)、電阻率測(cè)量、晶向測(cè)定、直徑測(cè)定、表面缺陷評(píng)定、位錯(cuò)密度測(cè)定、晶體厚度及厚度變化測(cè)定、幾何參數(shù)等等。

四、磷化銦單晶檢測(cè)

磷化銦單晶檢測(cè)的依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 20230-2006《磷化銦單晶》。磷化銦單晶檢測(cè)項(xiàng)目主要有牌號(hào)鑒定、導(dǎo)電類型評(píng)定、電阻率、遷移率、載流子濃度、晶向、位錯(cuò)密度、幾何參數(shù)、表面缺陷、電學(xué)參數(shù)、晶向測(cè)定等等

五、鍺單晶檢測(cè)

鍺單晶檢測(cè)依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 5238-2019《鍺單晶和鍺單晶片》。鍺單晶檢測(cè)項(xiàng)目主要有導(dǎo)電類型評(píng)定、電阻率測(cè)量、摻雜劑評(píng)定、經(jīng)向電阻率變化、少數(shù)載流子壽命檢測(cè)、晶向及晶向偏離度評(píng)定、晶體完整性檢測(cè)、幾何參數(shù)測(cè)量、表面質(zhì)量檢測(cè)等等。

以上，便是我們總結(jié)的硅單晶檢測(cè)、砷化鎵單晶檢測(cè)、磷化鎵單晶檢測(cè)、磷化銦單晶檢測(cè)、鍺單晶檢測(cè)相關(guān)的檢測(cè)知識(shí)。當(dāng)然，單晶材料種類眾多，檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，項(xiàng)目及指標(biāo)要求肯定也都會(huì)有所差異。而且新的單晶材料也會(huì)不斷研發(fā)出現(xiàn)。相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)也會(huì)相繼出臺(tái)，比如JB/T 13942-2020《超硬磨料靜壓法合成工業(yè)用大單晶金剛石》就在今年剛剛發(fā)布。

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